【个人简介】

北京工业大学 信息学部教授，博士生导师

主要教育及工作经历：2009年毕业于兰州大学物理系获凝聚态物理专业博士学位，2010年3月至9月在韩国延世大学从事博士后研究工作，2010年9月至2013年1月在新加坡南洋理工大学电子电气工程学院做Research Scientist。

所获荣誉：国家优秀青年基金及北京市杰出青年基金获得者、北京市海外高层次引进人才、北京市青年拔尖人才、北京市科技新星、北京市特聘专家、朝阳区凤凰计划

目前研究方向：半导体光电探测器（二维材料光电探测器、量子点探测器及二类超晶格红外探测器）、硅基太阳能电池、新型电子信息器件等。

欢迎具有微电子、物理等研究背景的学生与研究人员加入团队。

联系方式：yzzhang@bjut.edu.cn; 010-67391716

主要成果：

研制出超宽光谱响应范围（从可见光532nm至中红外10um左右）、超高响应度（8.61A/W）的石墨烯光电探测器，在响应度方面，相比同类工作提高了近3个量级，基于该工作，目前已联合中国电科集团及航天五院研发出宽谱、高响应度原理样机并实现线阵成像。该工作被Nature Photonics杂志Highlight, 并被USA Today, INOVACAO Tecnologica, NTU News, 新加坡联合早报, 中国科学网等几十家媒体报道。在太阳能电池方面，研发出了大面积（156mm×156mm）高效（转化效率高达25.11%）的硅基异质结太阳能电池，并开展了基于该类电池的组件及1.2KW电站出力情况研究，基于以上研究工作结果，汉能集团成都研发中心投入120MW该类电池生产线，并已下线流片。迄今为止，在Nature Energy, Nature Communications, Nano Letters, ACS Nano, Advanced Functional Materials, Advanced Electronic Materials, Small等杂志上发表论文100余篇，被引用2400多次，申请中国专利30余项。主持和完成国家自然科学基金4项，北京市先导与优势材料创新课题1项、北京市自然科学基金1项，承担军委科技委项目3项，装备预研项目1项。

近期部分论文：

1. Identification of embedded nanotwins at c-Si/a-Si: H interface limiting the performance of high-efficiency silicon heterojunction solar cells

Nature Energy  6, 194–202 (2021)

1. Broadband high photoresponse from pure monolayer graphene photodetector

Nature Communications  4, 1811 (2013)

1. Highly in-planeoptical and electrical anisotropy of 2D germanium arsenide

Advanced Functional Materials 28, 1707379 (2018)

1. Strain Effect Enhanced Ultrasensitive MoS2 Nanoscrolls Avalanche Photodetector

The Journal of Physical Chemistry Letters 11, 4490-4497 (2020)

1. Transition metal dichalcogenides thyristor realized by solid ionic conductor gate induced doping

Applied Physics Letters 117, 053102 (2020)

1. Valley Polarization and Valleyresistance in a Monolayer Transition Metal Dichalcogenide Superlattice

The Journal of Physical Chemistry Letters 11, 3882-3888 (2020)

1. High‐Performance Photodiode Based on Atomically Thin WSe2/MoS2 Nanoscroll Integration

Small 15, 1901544 (2019)

1. Enhanced Performance of a CVD MoS2 Photodetector by Chemical in Situ n-Type Doping

ACS applied materials & interfaces 11, 11636-11644 (2019)

1. A tunable floating-base bipolar transistor based on a 2D material homojunction realized using a solid ionic dielectric material

Nanoscale 11, 22531-22538 (2019)

1. Visible-infrared dual-mode MoS2-graphene-MoS2 phototransistor with high ratio of the Iph/Idark

2D Materials 5, 045027 (2018)

1. High Detectivity from a Lateral Graphene–MoS2 Schottky Photodetector Grown by Chemical Vapor Deposition

Advanced Electronic Materials 4, 1800069 (2018)

1. High Anisotropy in Tubular Layered Exfoliated KP15

ACS nano 12, 1712-1719 (2018)

1. Spectral Discrimination Sensors Based on Nanomaterials and Nanostructures: A Review

IEEE Sensors Journal 21, 4044-4060 (2020)

1. Achieving high efficiency silicon heterojunction solar cells by applying high hydrogen content amorphous silicon as epitaxial-free buffer layers

Thin Solid Films 711, 138305  (2020)