光电子技术实验室成立于1993年，2008年正式获批“光电子技术教育部重点实验室”，是国内知名的光电子技术科研基地和学科平台。实验室以建设有国际影响力的信息光电子科学与技术研究基地为目标，围绕国家战略需求和学科前沿，开展新型半导体光电子材料和器件的关键理论、技术的创新性研究和成果转化工作。培养和吸引优秀人才，促进合作交流，提高学科发展水平和教学质量。为国家和北京市的光电信息技术可持续发展提供核心竞争力，

实验室的主要研究方向：高亮度红光LED、大功率半导体激光器、微纳结构半导体光电子器件、新型二维材料和器件应用等。

实验室现有科研人员40余人，其中教授13人，副教19人，（国家QR1人，百千万人才工程国家级入选1人，教育部CJ学者1人，教育部青年CJ学者1人，国家优青1人，北京市杰青1人，北京市高层次人才7人，北京市科技新星4人）。实验室现有面积3150平米，其中超净实验室600平米，实验设备资产原值5400多万元，拥有一条具备外延生长、器件制备和测试分析功能的光电子器件研究工艺线，其中国际先进的MOCVD设备价值1000万元。是光电子器件研究领域国内高校条件最好的实验室之一。

自实验室成立以来，承担了国家973、863计划、国家重点研发计划、国家自然科学基金重点及面上、国家军工重点专项、北京市自然科学基金、北京市科委和北京市教委百余项科研课题，取得了一批高水平的研究成果。其中高亮度红光LED芯片相关技术以600万美元实现转让，在北京亦庄建立北京市首家有自主知识产权的LED芯片生产企业，实现批量生产。高效高亮度发光管获国家五部委颁发的国家重点新产品证书，在2011年获北京市科学技术一等奖。大功率半导体激光器芯片技术和高亮度GaN LED技术实现工程化。在国际前沿的微纳光电子器件方面取得突破，研制出超构表面激光器等一批高性能光电子器件和材料，在Nature Nanotechnology等国际一流刊物发表高水平论文。实验室注重为国家光电子事业的发展培养人才，现有博士、硕士研究生和博士后80余人，已培养出了一批包括全国百篇优秀博士论文获得者在内的高层次人才。实验室与国内外其他大学和研究机构以及大型国企长期保持有密切联系与合作。