【个人简介】

北京工业大学  信息学部  助理研究员

主要教育及工作经历：

2020.09-至今        北京工业大学                           信息学部             助理研究员

2018.09-2019.09        哈佛大学      工程与应用科学学院（SEAS）        访问学者

2015.09-2020.07        北京大学      物理学院             凝聚态物理          理学博士    

2011.09-2015.07        兰州大学      物理科学与技术学院   微电子学      理学学士    

目前研究方向：

半导体光电探测器模拟（二维材料光电探测器、二类超晶格红外探测器）、半导体材料计算和电子器件模拟等。

欢迎具有微电子、物理学、机器学习等研究背景的学生和研究人员加入团队。

联系方式：jzli11@bjut.edu.cn

主要成果：

主要研究领域为低维材料的第一性原理计算和电子器件模拟。迄今为止在Nano Research，PCCP, JMCC等SCI刊物上发表论文20余篇。担任JPCC审稿人。

近期部分论文：

1. J. Li, X. Sun, C. Xu, X. Zhang, Y. Pan, M. Ye, Z. Song, R. Quhe, Y. Wang, H. Zhang, Y. Guo, J. Yang, F. Pan, J. Lu, Electrical contacts in monolayer blue phosphorene devices. Nano Res. 2018, 4, 1834-1849. [Link]

2. J. Li, X. Zhang, G. A. Tritsaris, B. Shi, C. Yang, S. Liu, J. Yang, L. Xu, J. Yang, F. Pan, E. Kaxiras and J. Lu, Monolayer honeycomb borophene: A promising anode material with extremely high capacity for lithium-ion and sodium-ion batteries. Journal of the Electrochemical Society, 2020, 167, 090527.

3. S. Liu *, J. Li *, B. Shi, X. Zhang, Y. Pan, M. Ye, R. Quhe, Y. Wang, H. Zhang, J. Yan, L. Xu, Y. Guo, F. Pan and J. Lu, Gate-tunable interfacial properties of in-plane ML MX₂ 1T′-2H heterojunctions. Journal of Materials Chemistry C 2018, 21, 5651-5661. (*equal contribution) [Link]

4. Y. Wang *, J. Li *, J. Xiong, Y. Pan, M. Ye, Y. Guo, H. Zhang, R. Quhe, J. Lu, Does the Dirac cone of germanene exist on metal substrates? Phys. Chem. Chem. Phys. 2016, 18, 19451-19456. (*equal contribution) [Link]

5. X. Zhang, Z. Yang, J. Li, Y. Deng, Y. Hou, Y. Mao, J. Lu and R. Ma, Directly imaging the structure–property correlation of perovskites in crystalline microwires. J. Mater. Chem. A, 2019, 7, 13305. [Link]

6. X. Zhang, S. Li, J. Li, M. Ye, Z. Song, S. Jin, B. Shi, Y. Pan, J. Yan, Y. Wang, J. Zheng, F. Pan, J. Lu, Absorption and diffusion of lithium on layered InSe. Computational Condensed Matter, 2019, 21, e00404.[Link]

7. Y. Wan, J. Xiao, J. Li, X. Fang, K. Zhang, L. Fu, P. Li, Z. Song, H. Zhang, Y. Wang, M. Zhao, J. Lu, N. Tang, G. Ran, X. Zhang, Y. Ye and L. Dai, Epitaxial single-layer MoS₂ on GaN with enhanced valley helicity. Advanced Materials 2018, 30, 170388 (1-7). [Link]

8. H. Li, J. Tie, J. Li, M. Ye, H. Zhang, X. Zhang, Y. Pan, Y. Wang, R. Quhe, F. Pan, and J. Lu, High-performance sub-10 nm monolayer black phosphorene tunneling transistors. Nano Research, 2018, 5, 2658-2668. [Link]

9. Y. Wang, R. Fei, R. Quhe, J. Li, H. Zhang, X. Zhang, B. Shi, L. Xiao, Z. Song, J. Yang, J. Shi, F. Pan, J. Lu, Many-Body Effect and Device Performance Limit of Monolayer InSe. ACS applied materials & interfaces 2018, 27, 23344-23352. [Link]