（一） 个人简介

马啸尘（博士），讲师

联系方式：maxiaochen@bjut.edu.cn

（二） 教育工作经历

2020/08-至今，北京工业大学，信息学部，微电子学院，讲师；

2017/6-2020/7，京东方科技集团股份有限公司，高级研究员，从事TFT及生物芯片研发；

2012/7-2017/4，曼彻斯特大学，电气电子工程学院博士，微纳结构与微电子材料器件方向；

2009/09-2012/06，曼彻斯特大学，物理学院本硕连读硕士，应用物理专业；

（三）研究方向

（1）光电子材料及传感器件（2）微电子材料器件（3）微纳流体芯片（4）薄膜外延沉积（5）类神经元及仿生器件

（四）代表性研究成果

1. Ma, X.; Zhang, J.; Cai, W.; Wilson, J.; Song, A., Low-Frequency Noise in Electric Double Layer InGaZnO Thin-Film Transistors Gated with Sputtered SiO2-Based Electrolyte. ACS Applied Electronic Materials, 2019, 1 (6), 972-976.

2. Zhao, W.; Luan, C.; Ma, X.; Feng, X.; He, L.; Ma, J., Characterization of niobium-doped titania epitaxial films deposited by metalorganic chemical vapor deposition. Materials Characterization, 2018, 137, 263-268.

3. Ma, X.; Zhang, J.; Cai, W.; Wang, H.; Wilson, J.; Wang, Q.; Xin, Q.; Song, A., A Sputtered Silicon Oxide Electrolyte for High-Performance Thin-Film Transistors. Scientific Reports, 2017, 7 (1), 809.

4. Zhao, W.; Feng, X.; Ma, X.; He, L.; Cao, Q.; Ma, J., Structural and optical properties of heteroepitaxial anatase titania films on MgAl6O10 (100) substrates by MOCVD. Applied Surface Science, 2017, 426, 369-375.

5. Wang, W.; Feng, X.; Ma, X.; He, L.; Cao, Q.; Ma, J., Epitaxial growth and properties of Nb-doped anatase TiO2 films on LSAT by MOCVD. Journal of Alloys and Compounds 2017, 729, 38-42.

授权专利：

[1]马啸尘,袁广才,宁策,胡合合,谷新. 一种薄膜晶体管及其制备方法、传感器[P]. 北京市：CN109060922A,2018-12-21.