一、基本情况： 朱慧（1980-），女，博士，副教授，硕士生导师。 2003年毕业于中国矿业大学（北京）材料科学与工程专业，获得学士学位。同年赴英国剑桥大学学习，2004年毕业于剑桥大学材料专业，获得硕士学位，2010年毕业于剑桥大学电子工程专业，获得博士学位。2011年至今在北京工业大学工作。

二、主要研究方向：新型非挥发性存储器（铁电薄膜存储器、阻变存储器等），新型半导体器件可靠性机理。

三、主持科研项目：主持国家自然科学基金、北京市自然科学基金、教育部博士点学科专项科研基金、教育部留学回国人员科研启动基金、北京市教育委员会科技计划一般项目等多个科研项目。1、铁电薄膜应用于铁电随机存储器的失效机理研究，国家自然科学基金青年项目，2013-2015；2、GaN HEMT 中的残余应力以及应力对器件性能的影响，北京市自然科学基金面上项目，2012-2014；3、铁电薄膜应用于铁电随机存储器的失效机理研究，2013-2015，教育部博士点学科专项科研基金；4、铁电薄膜应用于铁电随机存储器的失效机理研究，教育部留学回国人员科研启动基金，2013-2015；5、应力对于铁电薄膜电学性能影响的研究，北京市教育委员会科技计划一般项目，2016-2017；6、AlGaN/GaN HEMT 的应力效应及其影响机理的研究，北京市自然科学基金面上项目，2016-2018。

四、代表性科研论文：1. Effect of poling process on resistive switching in Au/BiFeO₃/SrRuO₃ structures, H. Zhu, Y. Zhang, et al. Applied Physics Letters 109, 252901 (2016), SCI; 2. Investigation of fatigue behavior of Pb(Zr_0.45Ti_0.55)O₃ thin films, H. Zhu, Y. Chen, et al. Japanese Journal of Applied Physics 55, 091501 (2016), SCI; 3. The effect of external stress on the electrical characteristics AlGaN/GaN HEMTs, K. Liu, H. Zhu, et al. Microelectronics Reliability 55, 886 (2015), SCI; 4. The effect of external stress on the properties of AlGaAs/GaAs single quantum well laser diodes, H. Zhu, K. Liu, et al. Microelectronics Reliability 55, 62 (2015), SCI; 5. Measurement of residual stresses in ferroelectric Pb(Zr_0.3Ti_0.7)O₃ thin films by x-ray diffraction, H. Zhu, D. Chu, et al. Japanese Journal of Applied Physics, 52, 128004 (2013), SCI; 6. Polarization switching induced decrease of bulk resistivity in ferroelectric Pb(Zr_0.45Ti_0.55)O₃ thin films and a method to improve their fatigue endurance, H. Zhu, D. Chu, et al. Chinese Physics Letters, 30, 127702 (2013), SCI; 7. A study of capacitance–voltage characteristics of lead zirconate titanate ferroelectric thin films and their usage to investigate polarization and coercive field, H. Zhu, D. Chu, et al. Journal of Physics: Condensed Matter 23, 495901 (2011), SCI; 8. Polarization change in ferroelectric thin film capacitors under external stress, H. Zhu, D. Chu, et al. Journal of Applied Physics 105, 061609 (2009), SCI; 9. Polarization change of PZTN ferroelectric thin films under uniform in-plane tensile stress, Integrated Ferroelectrics 95, 117 (2007), SCI.

五、联系方式：电话：010-67396955，E-mail: zhuhui@bjut.edu.cn，地址：北京市朝阳区平乐园100号 北京工业大学电子信息与控制工程学院（邮编100124）