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2008年及以前
2021-09-23 20:52  

  1. 李志国; 郭伟玲; 朱红; 吉元; 程尧海; 孙英华; 张万荣，VLSI金属化布线电徙动动力学温度相关性研究，半导体学报, vol 19, No 6,1998：452-457 , （EI:1999064499896）

  2. Guo, Weiling; Li jianjun; Shen Guangdi etal，Tunneling regenerated high power Dual-Wavelength laser diodes， Semiconductor Lasers and Laser Dynamics,Proceedings of SPIE Vol. 5452，Apr. 2004：250-4（EI: 2005058815507）

  3. 郭伟玲，沈光地等，新型功率双波长半导体激光器的研制，固体电子学研究与进展，Vol. 25, No. 1，2005：129-132（EI: 2005189081866）

  4. Guo, Weiling; ShenGuangdi etal，Dual wavelength 650-780nm laser diodes ，Semiconductor and Organic ptoelectronic Materials and Devices, Proceedings of SPIE Vol. 5624，2005：217-220（ EI: 2005189084531）

  5. 罗丹; 郭伟玲; 徐晨; 舒雄文; 沈光地，半导体激光器结温测试研究，半导体光电, v 28, n 2, p 183-186+190, 2007 （EI：20072710692346）

  6. 贺卫利; 郭伟玲; 高伟; 史辰; 陈曦; 吴娟; 陈建新, 大功率发光二极管可靠性和寿命评价试验方法, 应用光学, v 29, n 4, p 533-6, 561, July 2008 (EI:10523067)

  7. 崔碧峰,李建军,邹德恕,王东凤,沈光地“980nm InGaAs/GaAs/AlGaAs大功率LDs模式特性研究” 光电子.激光，2003 ,Vol.14 No.10,pp1011-1014

  8. 崔碧峰，李建军，邹德恕，廉鹏，韩金茹，王东凤，杜金玉，刘莹，沈光地，“大光腔小垂直发散角InGaAs/GaAs/AlGaAs半导体激光器”，物理学报，(SCI) Vol.53.NO.7 p.2150-2153，2004

  9. 崔碧峰，鲁鹏程，郭伟玲，李建军，沈光地，“隧道级联大功率半导体激光器热特性分析”，功能材料与器件学报，Vol.10 No.1 p.87-89，2004

  10. 崔碧峰，邹德恕，李建军，郭伟玲，鲁鹏程，刘莹，王婷，沈光地，“隧道级联半导体激光器的光束质量因子”，半导体学报，Vol.25 No.11 p.1433-14362004

  11. Cui Bifeng(Dept of Electron. Eng., Beijing Polytech. Univ., China); Lian Peng; Yin Tao; Chen Changhua; Li Jianjun; Gao Guo; Zhou Deshu; Shen Guangdi; Ma Xiaoyu; Chen Lianghui “Cascaded coupled large optical cavity semiconductor lasers”Source:2001 6th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology. Proceedings (Cat. No.01EX443), p 1255-8 vol.2, 2001

  12. Zhang Lei,Cui Bi-Feng, Guo Wei-Lling, Wang Zhi-Qun, Shen Guang-Di, High-power Transverse Micro-stack Weakly Coupled Laser Diode Bars. Microelectronics Journal.(SCI)2008 39(12) 1580-1582

  13. Zhang Lei, Cui Bi-feng, Li Jian-jun, Guo Wei-ling, Wang Zhi-qun, Shen Guang-di “Novel Transverse Micro-stack High-power Diodes Bars” Chin.Phys.Lett. (SCI)  2008, 25(4) 1284-1286

  14. Shen GD, Chen YX ,Cui BF ,Li JJ, Han J, Guan BL ,Guo X, Jiang WJ, Gao W , Deng J ,Xu C “High efficiency active opto-electronic devices”PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SCI)    20086824D8240-D8244

  15. 李建军，魏希文，王美田，李正孝，王效平.多晶硅发射极锗硅合金基区HBT理论模型.大连理工大学学报, Vol.35, no.3, 1995:.303-308. (EI:P95072773633)

  16. 李建军，魏希文，王美田，李风银，王化雨，盖雪敏. 双向负阻器件的数值模拟,电子学报, vol.24, no.2, 1996: 66-69. (EI:P96063220584)

  17. 李建军，魏希文，裴素华，王子欧. 高耐压低负阻大功率晶体管理论分析,固体电子学研究与进展, vol.17, no.1, 1997: 15-20.(EI)

  18. 张富斌，李建军，魏希文. 双向S型负阻器件的二维数值模拟方法及模拟结果分析, 半导体学报, vol.18, no.4, 1997: 302-307. (EI)

  19. 窦红飞，李建军，魏希文，邹赫麟，何宇亮，刘明. 纳米薄膜低温光致发光, 固体电子学研究与进展，Vol.18, no.1, 1998: 38-42.(EI)

  20. 安俊明，李建军，魏希文等. nSi/pSi1-xGex/nSi晶体管直流特性数值分析，大连理工大学学报，38卷，第5期，1998年: 516.(EI)

  21. 安俊明，李建军，魏希文，沈光地，陈建新，邹德恕. 基区复合对nSi/pSi1-xGex/nSi晶体管共射极电流增益的影响，半导体学报，第20卷，第3期，1999年:288.(EI)

  22. 李建军，魏希文，沈光地，陈建新，邹德恕，韩汝琦. GexSi1-x合金基区异质结晶体管模拟器—GSHBT，固体电子学研究与进展，第20卷，第1期，2000年:99-104.(EI)

  23. Jianjun Li, ChanghuaChen, and Guangdi Shen. The RPS method applied to the numerical solution of multimode slab waveguides with complex indexes, IEEE Journal of Lightwave Technology, vol.18, no.10, 2000:1433-1436(SCI)

  24. 李建军，陈昌华，廉鹏，高国，邹德恕，沈光地. 多横模复折射率波导的数值求解，光学学报，第21卷，第7期，2001: 800-803(EI)

  25. Jianjun Li, Wenjun Zhu, Pen Lian, Bifeng Cui, Ying Liu, JingYu Du, Guo Gao, Deshu Zou and Guandi Shen. Two Dimension Current Transport of the Novel Large Coupled Optical Cavity Semiconductor Lasers，ICSICT’2001, vol.2,2001, Shanghai, China,p.1292-1295 (SCI)

  26. 丁颖，李建军，郭伟玲，崔碧峰，张丽，沈光地. 双波长多量子阱激光器设计与计算机辅助分析，光电子.激光，Vol.13, No.5, 2002:456-459(EI)

  27. 李建军，廉鹏，邓军，韩军，郭伟玲，沈光地. 高迁移率GaAs本征外延层的MOCVD生长，半导体光电，Vol.23,no.6,2002: 412-414

  28. Jianjun LI, Guangdi SHEN, Weiling GUO, Peng LIAN, Jun DENG, Jun HAN, and Desu ZOU. Novel Two-wavelength Laser Diode Cascade by Tunnel Junction, 2002 China-Korea Joint Symposium on Semiconductor Physics and Device Applications, Nov. 11-15, 2002, Lijiang, China:61-63

  29. 李建军，沈光地，郭伟玲, 廉鹏，韩军，邓军，邹德恕. 新型隧道带间级联双波长半导体激光器，中国激光，2003，30(11):961-964(EI)

  30. 李建军，沈光地，郭伟玲，廉鹏，韩军，邓军，邹德恕. 隧道带间级联双波长可见光半导体激光器制备，光电子. 激光，Vol.14, no.9, 2003: 901-904(EI)

  31. Pengcheng Lu, Jianjun Li, Bifeng Cui, Peng Lian, Weiling Guo, Deshu Zou, Guangdi Shen. Thermal property of tunnel cascaded and coupled multiactive regions laser diodes, Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, v 5280 I, APOC 2003: Asia-Pacific Optical and Wireless Communications: Materials, Active Devices, and Optical Amplifiers, 2003, p 22-28. (SCI）

  32. 李建军，韩军，邓军，邢艳辉，刘莹，沈光地. C掺杂GaAs外延层的MOCVD生长，半导体光电，vol.25 ,no.4 ,2004: 271-273

  33. LI Jian-jun, SHEN Guang-di. Revised RPS method for the complex solution of multimode slab waveguides including metal layers, Semiconductor Photonics and Technology, Vol.10, no.3, 2004: 190-193.

  34. 鲁鹏程, 李建军, 郭伟玲, 沈光地, 刘莹, 崔碧峰, 邹德恕. 隧道带间级联双波长半导体激光器热特性模拟，光电子.激光， Vol.15,No.6,2004:649-653

  35. 鲁鹏程，李建军，邓军，廉鹏，刘莹,崔碧峰，沈光地. 隧道再生大功率半导体激光器模式特性分析,功能材料与器件学报,第10卷第3期,2004:395-398

  36. 俞波; 李建军; 盖红星; 牛南辉; 邢艳辉; 邓军; 韩军; 廉鹏; 沈光地. (Al)GaInP材料的MOCVD生长研究,激光与红外,vol.35,no.3,2005:181-183

  37. 盖红星; 李建军; 韩军; 邢艳辉; 邓军; 俞波; 沈光地; 陈建新. AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱增益特性研究,量子电子学报,vol.22,no.1,2005:85-89

  38. 李建军,韩军,邓军,于晓东,林委之,邹德恕,刘莹,沈光地.高亮度625nm AlGaInP 发光二极管”,中国光学学会2006年学术大会,中国.广州,2006年9月4日-6日, p.294-295

  39. 李建军,韩军,邓军,邹德恕,沈光地. 低阈值高效率InAlGaAs量子阱808nm激光器,中国激光,vol.33,no.9,2006:1159-1162(EI)

  40. Jian-jun Li，Guang-di Shen，Bi-feng Cui，De-su Zou，Jun Han and Jun Deng. Multi-active Region Laser Diode with a Narrow Beam Divergence Angle,Optoelectronics Letters,vol.2,no.5,2006: 326-328

  41. 李建军韩军邓军崔碧峰廉鹏邹德恕沈光地. 隧道再生四有源区大功率半导体激光器,光学学报,第26卷,第12期,2006:,1819-1822(EI)

  42. 李建军沈光地. 垂直腔面发射激光器光场数值解的打靶法,光电子.激光,第17卷,第12期,2006:1457-1460)EI)

  43. 林委之，李建军，于晓东，邓军，廉鹏，韩军，邢艳辉，沈光地. V/III 族气体源流量比对AlGaInP材料MOCVD外延生长的影响，半导体光电，第28卷，第2期，2007:202-204。

  44. 宋小伟,李建军,韩军,邓军,陈依新,孙昊,蒋文静,沈光地. 表面织构对红光LED 发光的影响,半导体学报,vol.29,no.7,2008:1365-1368(EI20083111424137)

  45. 杨臻,李建军,康玉柱,宋小伟.可见光共振腔发光二极管原理及发展概况，激光与光电子学进展，vol.25,no.12,2008:25-29

  46. Guan Bao-Lu, Guo Xia, Deng Jun, et al,Micromechanical tunable vertical-cavity surface-emitting lasers, Chin. Phys . 2006,15(12): 2959-2962 DOI: 10.3321/j.issn:1009-1963.2006.12.032 (SCI: 110KC)

  47. Baolu Guan, Xia Guo, Ting Liang, et al, Sacrificial Al0.8Ga0.2As etching for microstructures in integrated optoelectronic devices, J. Appl. Phys. 2006, 100(11): 113508 DOI: 10.1063/1.2395682 (SCI: 117QG)

  48. LIANG Ting, GUO Xia, GUAN Bao-Lu, et al, A flip-chip AlGaInP LED with GaN / Sapphire Transparent Substrate Fabricated by Direct Wafer Bonding, Chin. Phys. Lett. 2007, 24(4): 1110-1113 DOI: 10.1088/0256-307X/24/4/072 (SCI: 158FS)

  49. Ting Liang, Xia Guo, Baolu Guan, Jing Guo, et al, Current-voltage characteristics of p-GaAs/n-GaN heterojunction fabricated by wafer bonding, Appl. Phys. Lett. 2007, 90(10): 102107 DOI: 10.1063/1.2710750 (SCI: 144JG)

  50. 关宝璐；郭霞；杨浩；等. 宽调谐范围垂直腔面发射激光器特性分析及设计，物理学报，Vol56, No 8，2007：4585-4589（SCI: 199GS ）

  51. 达小丽；郭霞；关宝璐；等. 应用高频激励源制备低应力氮化硅薄膜研究，固体电子学研究与进展，Vol27, No 1, 2007:138-142 (核心期刊：)

  52. 关宝璐；郭霞；顾晓玲；等. 可调谐微腔发光二极管微光机电系统悬臂梁的特性，中国激光，Vol35, No 2, 2008:245-248 (EI: 20081511195982)

  53. 杨浩；郭霞；关宝璐；等. 注入电流对垂直腔面发射激光器横模特性的影响，物理学报，Vol57, No 5, 2008:2959-2965 (SCI: 306QK)

  54. Zhu, Yanxu; Xu,Chen*; Liang, Ting; Da, Liaoli; Shen, Guangdi, Enhanced output of GaN-based light-emitting diodes with stripe-contactelectrodes, AppliedPhysics Letters, Vol.89, Issue 8, 2006, pp.081127-3

  55. Zhu Yanxu, Xu Chen*, Da Xiaoli, Niu Nanhui, HanJun, Shen Guangdi, GaN-basedlight-emitting diodes with SiONx on sidewalls, Semiconductor Science andTechnology, Vol 22, No.6, 2007,pp1-4,

  56. ZhaoLinlin, Xu Chen*, Yang Daohong，Analysisfor load limitation of square-shaped silicon diaphragms，SolidState Electronics, Vol.50, 2006, pp1579-1583

  57. XiongwenShu, Chen Xu*, Zengxia Tian, Guangdi Shen, ZnSeby electron-beam evaporation used for facet passivation of high power laserdiodes, Solid State Electronics,Vol.49,  Issue12, 2005, pp2016-17

  58. Yanxu Zhu, Chen Xu*, Xiaoli Da,Ting Liang, Guangdi Shen, Enhanced output of flip-chip light-emitting diodeswith a sidewall reflector, Solid State Electronics ,Vol.51,  Issue5, 2007, pp674-677

  59. Shu Xiongwen, Xu Chen*, TianZengxia ,Ioncleaning of facets for improving the reliability of high power 980 nmsemiconductor lasers, Chinese Physics Letters，Vol. 23, No. 1 (2006) 124-5

  60. Yanxu Zhu，ChenXu*, Jun Han, Flip-Chip GaN-Based Light-Emitting Diodes with Mesh-Contact Electrodes, Chinese Physics Letters，Vol. 24, No. 1 (2007) 268-70


 


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