光电子技术教育部重点实验室
 首页   实验室概况   学术梯队   科学研究   学术成果   人才培养   合作交流   开放平台   开放基金   招聘与招生 
文章详情 专利
2012年
2021-09-24 09:03  

序号

专利名称

发明（设计）人

授权时间

专利类型

授权号

1

一种高增益雪崩二极管

郭霞、关宝璐、周弘毅、郭帅、陈树华

2012.02.08

发明专利

ZL 201120199948.6

2

桥式-纳米光栅可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法

关宝璐、郭霞、任秀娟、李硕、李川川、郝聪霞

2012.06.13

发明专利

ZL 201010532381.X
3 一种非破坏性面发射半导体激光器电流限制孔径测定方法 徐晨（发明人代表），赵振波，解意洋，周康，刘发，沈光地 2012-02-22 发明专利 ZL 201010298989.0

 


地址：北京市朝阳区平乐园100号北京工业大学数理楼一段 | 邮编：100124

电话：+86-10-67391641/8610-67392503 | 邮箱：guoweiling@bjut.edu.cn |

网站制作： 光电子技术教育部重点实验室

Copyright  © 北京工业大学光电子技术教育部重点实验室   版权所有