ICP是半导体工艺设备中常用的刻蚀设备，这台ICP配备了Cl2，SiCl4，Ar,O2，SF6,CH4,H2等多路气体，可以刻蚀GaAs,GaN等多种材料，稳定性好。

ICP功率可达1500W，RF功率可以到500W，样品可同时做4片2寸圆晶。

托盘下有氦冷装置，保证和底托温度一致。

欢迎大家来样加工，联系方式：刘老师 010-67391641-829 dkliuying@bjut.edu.cn