1、个人简介

   邢艳辉，女，1974年出生，博士，副教授，硕士生导师。2001年毕业于长春理工大学光学工程专业，获硕士学位，同年到在北京工业大学电子信息与控制工程学院从事教学与科研工作，2008年毕业于北京工业大学 微电子学与固体电子学专业， 获博士学位。2007年获得“北京工业大学德育教育先进个人”，2009年获得“北京工业大学就业工作先进个人”。

2、科研工作

   主要从事GaAs，GaN，InP，GeSi等半导体材料的光电特性测试分析工作，近年来主要利用高精度X射线双晶衍射（XRD）、光致发光（PL）、原子力显微镜（AFM）等测试仪器研究GaN材料特性及LED器件制备工作。工作期间作为骨干成员参加了包括国家自然科学基金、863、北京市自然科学基金、北京市教委等课题的研究。

3、在研的科研项目

（1）国家自然科学基金，蓝宝石图形衬底上MOCVD定向控制生长半极性（11-22）GaN研究（项目编号61204011，负责人）。

（2）北京市自然科学基金，MOCVD生长非极性a面GaN材料光电特性研究”的研究工作（项目编号4102003，负责人）。

（3）北京市自然科学基金，GaAs基GaAsSb/InGaAsN VCSEL研究 （项目编号：4112006第二负责人）。

4、教学工作

主讲本科生课程：《热力学与统计物理》

5、论文

在国内外学术刊物发表论文40余篇，其中SCI、EI收录36篇，代表性论文：

1.Xing Yanhui, Han Jun, Deng Junet al,Investigation ofGaN layer grown on different low misoriented sapphire by MOCVD，Applied Surface Science2009 255 (3) :6121 -6124（SCI检索号UT ISI：000264408000013）

2.Xing Yanhui,Han Jun, Deng Jun,et al，Interrupted Mg doping of GaN with MOCVD for improved p-type layers.Vaccum2007，82（9）：1-4（SCI检索号UT ISI：000249879600001）

3.邢艳辉，邓军，李建军等，引入n型InGaN/GaN超晶格层提高量子阱特性研究物理学报2009 58（1）：590-595（SCI检索号UT ISI：000262834300094）

4.邢艳辉,刘建平，邓军等，垒掺In提高InGaN/GaN多量子阱发光特性 物理学报2007，56（12）：7295-7298（SCI检索号UT ISI：000252018900080）

5.邢艳辉，韩军，邓军等，淀积在不同小倾角蓝宝石衬底的n型GaN的研究 物理学报2009 58（4）：2644-2648（SCI检索号UT ISI：000265324700080）

6.邢艳辉, 邓军, 徐晨等，p型GaN低温粗化提高发光二极管特性物理学报2010 59（2）：1233-1236（SCI检索号UT WOS：000274699000079）

6、联系方式

办公电话：010-67392503转839，010-67392924转839

Email：xingyanhui@bjut.edu.cn