一、个人简介
电子科学与技术（微电子）学院，副教授，博士生导师，于2021年7月以高端人才队伍建设计划引进北京工业大学。2011年获四川大学学士学位，2017年获北京大学博士学位并继续博士后研究，博士期间赴美国耶鲁大学访学一年。曾获北京市优秀毕业生、北京大学优秀毕业生/优秀博士后/博雅博士后、未来女科学家计划提名奖等多项荣誉。在基于III-V族化合物半导体、二维半导体以及铁电材料的新型微纳电子器件的载流子输运机理以及工作机制等方面取得一系列创新成果。已发表学术论文30余篇，其中以第一/通讯作者在IEDM、IEEE EDL、IEEE TED等权威国际会议与期刊发表论文24篇，其中最具标志性国际顶级会议IEDM3篇。以实际完成人登记计算机软件著作权6项，其中3项以实现技术成果转化并用于国产TCAD工具。担任IEEE TED等高水平期刊审稿人。以项目负责人主持国家自然科学基金青年基金1项、中国博士后基金2项，以科研骨干参与国家重点研发计划多项。
联系方式：pychang@bjut.edu.cn；010-6739 8051
二、教育与工作经历
2021.07-至今 北京工业大学 副教授 博士生导师
2017.07–2021.06 北京大学 博士后
2015.10–2016.11 耶鲁大学 访问学生
2011.09–2017.07 北京大学 博士
2007.09–2011.07 四川大学 学士
三、所获荣誉奖励
四、研究方向
五、主持与参与科研项目
国家自然科学基金青年项目1项（主持） 中国博士后科学基金特别资助1项（主持） 中国博士后科学基金面上一等资助1项（主持） 国家自然科学基金面上项目1项（科研骨干） 国家自然科学基金青年项目2项（科研骨干） 国家重点研发计划2项（科研骨干） 国家重点基础研究发展规划（973计划）（参与）
六、代表性成果
Pengying Chang, Gang Du, Jinfeng Kang, and Xiaoyan Liu*, “Conduction Mechanisms of Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor Tunnel Junction on N- and P-Type Semiconductor,” IEEE Electron Device Letters, vol. 42, no. 1, pp. 119-121, Jan. 2021. Pengying Chang*, Xiaoyan Liu, Fei Liu, and Gang Du, “Phonon-Limited Mobility in n-Type Few-Layer InSe Devices From First Principles,” IEEE Electron Device Letters, vol. 40, no. 2, pp. 333-336, Feb.2019. Pengying Chang, Gang Du, and Xiaoyan Liu*, “Design space for stabilized negative capacitance in HfO2 ferroelectric-dielectric stacks based on phase field simulation,” Science China: Information Sciences, vol. 64, no. 2, pp. 122402, Jan. 2021. Pengying Chang, Gang Du, Jinfeng Kang, and Xiaoyan Liu*, “Guidelines for Ferroelectric-Semiconductor Tunnel Junction Optimization by Band Structure Engineering,” IEEE Transactions on Electron Devices, 10.1109/TED.2021. 3079881, May 2021. Mengqi Fan, Pengying Chang*, Gang Du, Jinfeng Kang, and Xiaoyan Liu, “Impacts of Radius on the Characteristics of Cylindrical Ferroelectric Capacitors,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 67, no. 12, pp. 5810-5814, Dec. 2020. Pengying Chang, Xiaoyan Liu*, Shaoyan Di, and Gang Du, “Evaluation of Ballistic Transport in III-V Based p-Channel MOSFETs,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 64, no. 3, pp. 1053-1059, Mar. 2017. Pengying Chang, Xiaoyan Liu*, Shaoyan Di, and Gang Du, “Evaluation of Ballistic Transport in III-V Based p-Channel MOSFETs,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 64, no. 3, pp. 1053-1059, Mar. 2017. Pengying Chang, Xiaoyan Liu*, Lang Zeng, Kangliang Wei, and Gang Du, “Investigation of Hole Mobility in Strained InSb Ultra-Thin Body pMOSFET,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 62, no. 3, pp. 947-954, Mar. 2015.
会议论文：
Linlin Cai, Wangyong Chen, Pengying Chang*, Gang Du, Xing Zhang, Jinfeng Kang, and Xiaoyan Liu*, “A Physics-based Thermal Model of Nanosheet MOSFETs for Device-Circuit Co-design,” International Electron Devices Meeting (IEDM), pp. 779-782, 2018. Pengying Chang, Xiaoyan Liu*, Gang Du, and Xing Zhang, “Assessment of Hole Mobility in Strained InSb, GaSb and InGaSb Based Ultra-Thin Body pMOSFETs with Different Surface Orientations,” International Electron Devices Meeting (IEDM), pp. 192-195, 2014. Pengying Chang, Lang Zeng, Xiaoyan Liu*, and Gang Du, “Hole Mobility in InSb-Based Devices: Dependency on Surface Orientation, Body Thickness and Strain,” The 44th European Solid-State Devices Research Conference (ESSDERC), pp. 122-125, 2014. Wangyong Chen, Yun Li, Linlin Cai, Pengying Chang, Gang Du*, and Xiaoyan Liu*, “Entire Bias Space Statistical Reliability Simulation By 3D-KMC Method and Its Application to the Reliability Assessment of Nanosheet FETs based Circuits,” International Electron Devices Meeting (IEDM), pp. 775-778, 2018.
计算机软件著作权：
基于k·p微扰法的半导体材料的能带计算平台V1.0 基于k·p方法的薛定谔-泊松方程自洽求解系统V1.0 P沟道场效应晶体管中空穴迁移率的数值计算平台V1.0 P沟道III-V族化合物半导体器件输运特性的模型模拟软件V1.0 基于二维层状半导体的电子器件输运特性的模型模拟软件V1.0 基于金属-铁电层-绝缘层-半导体结构的铁电隧道结的电流计算平台V1.0
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